Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si (1986)
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELÉTRONS
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ABNT
CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, v. 33, n. 6 , p. 4432-5, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432. Acesso em: 03 maio 2024.APA
Canuto, S., & Fazzio, A. (1986). Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, 33( 6 ), 4432-5. doi:10.1103/physrevb.33.4432NLM
Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432Vancouver
Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432
